I - Le CNRS-CRHEA

1 - Présentation

Le Centre de Recherche sur l´Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA) est un laboratoire scientifique de recherche sur les propriétés des semi-conducteurs situé à Sophia-antipolis. Le CRHEA a choisi de se spécialiser dans l'épitaxie des semi-conducteurs-composés et de ne sélectionner que quelques matériaux spécifiques : Silicium (Si), Gallium (Ga), Arsenic (As), Indium (In),... De ces choix découlent des collaborations avec des laboratoires scientifiques ou l'industrie. Les domaines d'applications sont nombreux : opto-électronique, nano-technologies,... C'est l'étude des semi conducteurs épitaxiés qui a permis de créer par exemple les lasers ou les diodes.

Le CRHEA au milieu de la pinède

2 - L'hétéro-épitaxie

C'est une technique de croissance des cristaux qui consiste à déposer des couches d´atomes de quelques Angstroms les unes sur les autres à partir d'un substrat préexistant. Ces dépots sont obtenus par évaporation de sources solides ou par injection directe de gaz.
La croissance Epitaxiale par Jets Moléculaires (EJM) a été expérimentée à partir des années 70
Il existe plusieurs types de croissance dont l´épitaxie par jet moléculaire (EJM) et l´Epitaxie en Phase Vapeur aux Organométalliques (EPVOM). L´EJM se passe sous ultra-vide (la pression est inférieure à 6*10^-9 Pascal) et ne fait donc pas intervenir de gaz de transport contrairement à l'EPVOM.

Les matériaux épitaxiés sont ensuite étudiés : structure, caractérisation optique... La microscopie électronique en transmission apparait comme un des moyens les plus puissants dont dispose le laboratoire pour étudier ces matériaux.

Réacteurs servant à l'injection de gaz

La croissance Epitaxiale par Jets Moléculaires (EJM) a été expérimentée à partir des années 70 mais n'a été reconnue par la communauté scientifique internationale que dans les années 80, et ce grâce notamment à la réalisation du premier laser à multi-puits quantiques.