Principe
L'épitaxie est utilisée pour faire croître des couches minces (quelques nanomètres d'épaisseur).
On utilise pour cela une surface parfaitement polie d'un monocristal, le substrat,
sur lequel seront déposés d'autres atomes. Le substrat est choisi de façon à avoir des
paramètres de maille proches de ceux du cristal que l'on veut obtenir.
Il existe différentes méthodes d'épitaxie : l'homo-épitaxie, l'hétéro-épitaxie.
Par rapport à l'homo-épitaxie, l'hétéro-épitaxie consiste à faire croître un cristal où le substrat et le film sont de natures
différentes. Nous allons nous focaliser sur la méthode par jet moléculaire.
Cette technique consiste à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat
préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale.
Elle permet de faire croître des échantillons nanostructurés de plusieurs
cm2 à une vitesse d'environ une monocouche atomique par seconde.