PROJET TUTEURÉ DE L3 PHYSIQUE

DONNE Corentin & CONTE Ophélie

CONCLUSION

CONCLUSION


L'idée de vouloir créer un capteur à base de ZnO nous a amené à étudier les propriétés physiques de plusieurs échantillons différant par leur dopage en gallium et leur concentration en magnésium. Nous pouvons en déduire aux vues des résultats obtenus que la sensibilité et la rugosité ne sont pas liées. En effet nous pouvons remarquer une diminution visible de la rugosité avec une augmentation de concentration en magnésium. Cependant cela n'a aucune influence sur la sensibilité. Il en est de même pour le dopage en gallium.

Si aucune corrélation n'a pu être établie entre rugosité et sensibilité, nous avons cependant pu mettre au point une expérience reproductible de caractérisation des propriétés optiques de nos échantillons. Cette manipulation n'ayant aupravant jamais été réalisé au CRHEA, pourra être réemployée et être améliorée afin d'étudier la réponse en intensité lumineuse de surfaces pour des gaz tels que l'hélium, l'argon, etc ...







Références:

[1] Yacine Halfaya, Chris Bishop, Ali Soltani, Suresh Sundaram , Vincent Aubry, Paul L. Voss, Jean-Paul Salvestrini et Abdallah Ougazzaden
"Investigation of the Performance of HEMT-Based NO, NO 2 and NH 3 Exhaust Gas Sensors for Automotive Antipollution Systems"
23 Février 2016, MDPI

[2] Pieter Kuiper
"Schéma théorique d'un semiconducteur selon la théorie des bandes d'énergie de valence et de conduction."
2009, https://fr.wikipedia.org/wiki/Semi-conducteur

[3] "L'Oxyde de Zinc (ZnO) "
2016, https://fr.wikipedia.org/wiki/Oxyde_de_zinc

[4] Liu Yang
PhD thesis, Universitée du Littoral Côte d'Opale
"Caractérisation de couches minces de ZnO élaborées par la pulvérisation cathodique en continu "
17 Décembre 2013, https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00919764/document

[5] Maxime HUGUES
PhD thesis, Université de Nice Sophia Antipolis
"Croissance par épitaxie"
21 Décembre 2007

[6] Olivier PAJONA
PhD thesis, Université de Limoges
Transistors HEMT métamorphiques sur substrat GaAs pour applications de télécommunications à très haut débit: Mesures statiques et dynamiques pour intégration des effets parasites dans des modèles
29 Mai 2006, http://epublications.unilim.fr/theses/2006/pajona-olivier/pajona-olivier.pdf

[7] Cours Polytech Lille
Transistor à effet de champ
http://www.polytech-lille.fr/cours-transistor-effet-champ/hemt/hemtc1a.htm

[8] Biophy Research
Microscopie à Force Atomique
http://www.biophyresearch.com/technique-analyse/microscopie-a-force-atomique/
2012

[9] "Photoluminescence"
2017, https://fr.wikipedia.org/wiki/Photoluminescence

[10] Futurasciences
"Photoluminescence"
http://www.futura-sciences.com/sciences/dossiers/physique-luminescence-tous-etats-1498/page/8/

[11] R.Dingle, H.L. Stomer, A.C. Gossard and W. Wiegmann,

Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices
1978, Appl. Phys. Lett., Vol.33,p665

[12] Structure wurtzite
https://en.wikipedia.org/wiki/Wurtzite_crystal_structure