LIENS :

• Département de physique : www.unice.fr/DeptPhys/.

• Site du CRHEA : www.crhea.cnrs.fr/.

• Site du CNRS : http://www.cnrs.fr/.

• Indices du saphir pour différentes longueurs d’ondes : http://www.crystran.co.uk/products.asp?productid=231.

• Indice du saphir à 1000K : http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleListURL&_method=list&_ArticleListID=731724161&_sort=d&view=c&_acct=C000029858&_version=1&_urlVersion=0&_userid=6853449&md5=212a31b646a6e198d445227100f0006b.

• Elaboration de diodes électroluminescentes et de miroirs sélectfifs à base de nitrures d’éléments III pour diodes à cavité résonnante par Hans Peter David Schenk, Thèses, pages 172-174, Nice 2005 : http://corail.sudoc.abes.fr/DB=2.1/CLK?IKT=1016&TRM=Elaboration+de+diodes+e%CC%81lectroluminescentes+et+de+miroirs+se%CC%81lectifs+a%CC%80+base+de+nitrures+d'e%CC%81le%CC%81ments+III+pour+diodes+a%CC%80²+cavite%CC%81+re%CC%81sonante.

• Site IOFFE Physico Technical Institute : http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/nk/index.html.

• Réalisation de structures GaN à polarité périodique en vue d’application à l’optique non linéaire par Sébastien Pezzagna, Thèses, pages 97-104, Nice 2005 : http://corail.sudoc.abes.fr/DB=2.1/CLK?IKT=1016&TRM=Re%CC%81alisation+de+structures+GaN+a%CC%80+polarite%CC%81+pe%CC%81riodique+en+vue+d'applications+a%CC%80+l'optique+non+line%CC%81aire

• Croissances de nitrures d’éléments III par épitaxie en phase vapeur d’organométalliques sur substrats 6H-SiC par Hacene Lahreche, Thèses, pages 14-15, 19-29, 33-51, 177-178, Nice 2006 :http://corail.sudoc.abes.fr/DB=2.1/CLK?IKT=1016&TRM=CROISSANCE+DE+NITRURES+D'ELEMENTS+III+PAR+EPITAXIE+EN+PHASE+VAPEUR+D'ORGANOMETALLIQUES+SUR+SUBSTRATS+6HSIC+ET+SI(111).+APPLICATION+AUX+TRANSISTORS+A+EFFET+DE+CHAMP

• Elaboration, étude et application d’hétéro structures (AlGa) N/GaN epitaxiées par jets moléculaires Si III par Franck Natali, Thèses,  pages 100-123, 131-145, Nice 2003 :http://corail.sudoc.abes.fr/DB=2.1/CLK?IKT=1016&TRM=Elaboration,+e%CC%81tude+et+application+d'he%CC%81te%CC%81rostructures+(Al,Ga)N%2FGaN+e%CC%81pitaxie%CC%81es+par+jets+mole%CC%81culaires+sur+Si+(111)

• Première étape de la croissance de GaN sur Si III, la nucléation d’AIN par Arnaud Lelouarn, Thèses, pages 5-6, 11-33,40-41, 109-112, Nice 2006 : http://www.crhea.cnrs.fr/crhea/theses-sout.htm

• Thermal imaging of wafer temperature in MBE using digital camera; A.W. Jackson, A.C. Gossard; Journal of crystal growth; pages 105-108; n° 301-302; 2007:http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleListURL&_method=list&_ArticleListID=731748698&_sort=d&view=c&_acct=C000029858&_version=1&_urlVersion=0&_userid=6853449&md5=1d4c9e7c9afb2fc801814be9537605be

• Temperature dependence of hexagonal-GaN Optical Properties below the Bandgap; L. Siozade, S. Colard, M. Mihailovic, J. Leymarie, A. Vasson, N. Grandjean,M.        Leroux, J. Massies; physics state solid; pages 73-77, n° 216; 1999:http://www3.interscience.wiley.com/search/allsearch?mode=citation&contextLink=blah&issn=1521-3951&volume=216&issue=&pages=73

• Materiaux semiconducteurs à grand gap III-V a base de GaN ; Jean-Yves Duboz Techniques de l’ingenieur, traite d’electronique ; pages 1-24 ; n° E 1 995 :http://www.techniques-ingenieur.fr/dossier/materiaux_semi_conducteurs_a_grand_gap_iii_v_a_base_de_gan/E1995

• Temperature dependence of Optical Properties of hexagonal-GaN Films studied by Reflectivity and Ellipsometry; L. Siozade, S. Colard, M. Mihailovic, J. Leymarie, A.       Vasson, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies; Japanese Journal of Applied Physics;     pages 20-25; n° 39 ; 2000 :http://jjap.ipap.jp/cgi-bin/getarticle?magazine=JJAP&volume=39&page=20&submit3=Retrieve

• Radiation Thermometry in molecular Beam Epitaxy, IRCON, Application notes an110 :http://ircon.com/web/pdf/an110.pdf

• Introduction to infrared Thermometry Technical Solutions, IRCON, TS-104 :http://ircon.com/web/pdf/ts104.pdf