Les semiconducteurs III-V (resp. II-VI) sont des corps composés
: ils contiennent en proportion égale des éléments de la colonne III (resp. II)
et des éléments de la colonne V (resp. VI) de la classification périodique.
On peut ainsi avoir des corps binaires (ex : ZnS, CdS,
GaAs,...), ternaires (ex : GaAlAs,...) ou quaternaires.
Ce type de variation est très important car il permet de
déterminer la composition de tout alliage susceptible d'être déposé sur un
substrat par épitaxie.
Parmi les semiconducteurs on distingue deux grandes catégories :
les semiconducteurs intrinsèques et les semiconducteurs extrinsèques. La
conduction dans un matériau est le déplacement des charges électriques négatives
réelles (électrons), qui engendre un déplacement de charge électriques positives
fictives (trous ou lacunes) dans le sens opposé (sens conventionnel du
courant).
Un semiconducteur est dit intrinsèque s'il possède très peu
d'impureté : actuellement c'est le germanium Ga qui est le semiconducteur le
plus pur que l'on sache fabriquer. La quantité d'électrons qui peuvent agir dans
la conduction n'est fonction que de la température du semiconducteur
intrinséque. C'est semiconducteurs ont peu d'applications pratiques
(thermistances, capteurs,...).
Un semiconducteur est dit extrinsèque lorsqu'il contient des
"impuretés", c'est impuretés pouvant apporter des électrons participant à la
conduction (éléments de V° colonne comme P, on obtient alors un semiconducteur
N) ou diminuant le nombre d'électrons participant à la conduction (éléments de
III° colonne comme B, on obtient un semiconducteur de type P) : l'introduction
de ces impuretés agit directement sur la bande interdite est donc sur le
caractère résistif-conducteur d'un matériau semiconducteur. La concentration
d'impureté caractérise le caractère semiconducteur du matériau extrinsèque. Ces
matériaux on beaucoup plus d'application que les semiconducteurs intrinsèques
(transistors, diodes,...).
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