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L'hétéro-épitaxie est une technique de croissances qui
permet de faire croitre un cristal sur un autre possédant un certain nombre
d'éléments de symétrie en communs dans leur reseau
cristallin .
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Principe de l'hetero-epitaxie
:
La
croissance par épitaxie fait intervenir deux processus de
surfaces ; les espèces chimiques ou moléculaires peuvent être physi-absorbées ou chimi-absorbées
sur la surface
Le CRHEA
fabriquent des échantillons pour des d.e.l (diode
électroluminescente), des détecteurs U.V, des cellules photovoltaïques, des HEMTs (transistors a haute mobilités d'électrons), des HBTs (transistors bipolaires a hétérojonction
).
D'autres centres de recherche travaillent par
exemple sur les diamants.
Il existe
2 types d'hétéro-épitaxie en phase vapeur
:
- l'hétéro-épitaxie en phase
vapeur
- l'hétéro-épitaxie par jets moleculaires
c'est ce type d'hétéro-épitaxie que nous avons utiliser pour
faire nos mesures, car cela nous permet de faire des mesures directes pendant la
phase de croissance.
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Le jouet preferé de notre
tuteur
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L'hétéro-épitaxie par jets
moleculaires :
Le terme de jets moléculaires
provient du fait que les flux générés peuvent être décrits par la théorie de la
cinétique des gaz.
Ce type de croissance est
realisée dans une chambre ultravide, crée par une
pompe turbo et une pompe
ionique.
Un circuit de refroidissement dans lequel circule de l'azote
liquide permet encore de diminuer la pression dans la chambre.
L'échantillon est introduit
dans la machines puis dégazer de toutes poussières extérieur.
Les croissances par
épitaxie par jets moléculaires
ont une vitesse typique de
1µm/heure, 0,3nm/s, ou encore une monocouche par seconde. La température des
céllules d'effusion peut être contrôlée au 1/10 de
degrés prés ce qui permet une très grande maitrise des croissances des dépôts,
mais cela implique une atmosphère très pure pour ne pas contaminer
l'échantillon.
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